onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 8 A 60 W, 3-Pin NTD600N80S3Z TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,10 €

(ohne MwSt.)

15,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.235 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,62 €13,10 €
50 - 952,258 €11,29 €
100 - 4951,958 €9,79 €
500 - 9951,72 €8,60 €
1000 +1,568 €7,84 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6456
Herst. Teile-Nr.:
NTD600N80S3Z
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III-Serie MOSFET ermöglicht effizientere, kompaktere, kühlere und robustere Anwendungen aufgrund seiner bemerkenswerten Leistung in Schaltnetzanwendungen wie Laptop-Adapter, Audio, Beleuchtung, ATX-Stromversorgung und industriellen Netzteilen.

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

ESD-verbesserte Fähigkeit mit Zenerdiode

Optimierte Kapazität

Verwandte Links