onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:
NTMTS4D3N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

175A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

293W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

8.5mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität

Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen

Reduziert Schaltspitzen

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