onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 135 A 245 W, 8-Pin DFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

11,35 €

(ohne MwSt.)

13,506 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2.970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,675 €11,35 €
20 - 1984,89 €9,78 €
200 - 9984,24 €8,48 €
1000 - 19983,725 €7,45 €
2000 +3,395 €6,79 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6487
Herst. Teile-Nr.:
NTMTS6D0N15MC
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2 mm

Höhe

8.5mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität

Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen

Reduziert Schaltspitzen

Verwandte Links