onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6505
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 165A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.45mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 292W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Höhe | 9.42mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 165A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.45mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 292W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.2 mm | ||
Höhe 9.42mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.
Kompaktes Design
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Inspektion