onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 135 A 245 W, 8-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6487P
Herst. Teile-Nr.:
NTMTS6D0N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2mm

Höhe

8.5mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität

Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen

Reduziert Schaltspitzen

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