onsemi NTB7D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 101 A 166 W, 4-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
230-9080
Herst. Teile-Nr.:
NTB7D3N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

101A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

NTB7D

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.88mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET - N-Kanal-MOSFET mit geschirmtem Gate-Leistungsgraben, der eine Ableitungs-/Quellspannung von 150 V hat

Optimierte Schaltleistung

Max RDS(on) = 7,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 62A

Branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Body-Diode für hervorragende rauscharme Schaltvorgänge

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Hoher Wirkungsgrad mit geringerer Schaltspitze und EMI

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

Verbessertes Schalten von FOM, insbesondere Qgd

100 % UIL-geprüft

Keine Notwendigkeit oder weniger Klemmholz

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