onsemi SUPERFET V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 57 A 329 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
230-9086
Herst. Teile-Nr.:
NTHL041N60S5H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

SUPERFET V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

329W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Höhe

41.07mm

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der SuperFET-V-MOSFET der on Semiconductor Serie ist die 5. Generation von Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie von on Semiconductor. SuperFET V bietet erstklassige FOMs (RDS(ON)·QG und RDS(ON)·EOSS) zur Verbesserung nicht nur der Schwerlast, sondern auch der geringen Lasteffizienz. Die Serie 600 V SUPERET V bietet Designvorteile durch geringere Leitungs- und Schaltverluste und unterstützt gleichzeitig extreme MOSFET-DVDs/dt-Nennwerte bei 120 V/ns. Die SuperFET V MOSFET FAST-Serie trägt somit zur Maximierung der Systemeffizienz und Leistungsdichte bei.

100 % Lawinengeprüft

RoHS-kompatibel

Typ. RDS(on) = 32,8 mΩ

Interner Gate-Widerstand: 0,6 Ω

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 108 nC)

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