Infineon CoolSiC IMZA65R039M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 50 A, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 232-0404
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
9,709 €
(ohne MwSt.)
11,554 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 9,709 € | 291,27 € |
| 60 - 60 | 9,224 € | 276,72 € |
| 90 + | 8,641 € | 259,23 € |
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- 232-0404
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R039M1HXKSA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 4-poligen TO247-Gehäuse. Die CoolSiC MOSFET-Technologie nutzt die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid und fügt einzigartige Funktionen hinzu, die die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Geräts erhöhen. Der MOSFET 650 V basiert auf einem hochmodernen Trenchhalbleiter, der optimiert wurde, um keine Kompromisse bei der Herstellung der niedrigsten Verluste in der Anwendung und der höchsten Zuverlässigkeit im Betrieb zu ermöglichen.
Geringe Kapazitäten
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Erhöhte Lawinenfähigkeit
Funktioniert mit Standardtreibern
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Erhöhte Lawinenfähigkeit
Funktioniert mit Standardtreibern
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | CoolSiC |
| Gehäusegröße | TO-247-4 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,05 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.7V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
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