Infineon OptiMOS™ 5 ISC0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 232-6761
Herst. Teile-Nr.:: ISC0804NLSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 ISC0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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Datasheet - ISC0804NLSATMA1

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Produktdetails

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	59 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0109 O, 0,0149 O.
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ 5 ISC0804NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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