Infineon OptiMOS™ 5 BSC098N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 222-4622
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,984 € | 9,84 € |
| 50 - 90 | 0,935 € | 9,35 € |
| 100 - 240 | 0,896 € | 8,96 € |
| 250 - 490 | 0,856 € | 8,56 € |
| 500 + | 0,797 € | 7,97 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4622
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0098 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
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