Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSC035N04LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Durchlassspannung Vf

0.84V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

5.35mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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