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    Infineon OptiMOS™ 3 BSC067N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON

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    RS Best.-Nr.:
    911-0881
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC067N06LS3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.50 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTDSON
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.12,1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.69 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge5.49mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.35mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs23 nC @ 4,5 V
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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