Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ042N06NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


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