Infineon OptiMOS™ 5 BSZ042N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4390
Herst. Teile-Nr.:: BSZ042N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSZ042N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,392 €

(ohne MwSt.)

1,656 €

(inkl. MwSt.)

4760 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	1,392 €	13,92 €
100 - 490	1,125 €	11,25 €
500 - 990	0,875 €	8,75 €
1000 - 2490	0,741 €	7,41 €
2500 +	0,72 €	7,20 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 906-4390
Herst. Teile-Nr.:: BSZ042N06NSATMA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	69 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.4mm
Breite	3.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V