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    Infineon OptiMOS™ 5 BSZ042N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

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    Voraussichtlich ab 27.05.2025 verfügbar.
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    5000 +0,731 €3.655,00 €

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    Nicht als Expresslieferung erhältlich
    RS Best.-Nr.:
    178-7497
    Herst. Teile-Nr.:
    BSZ042N06NSATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Nicht zutreffend

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.40 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    SerieOptiMOS™ 5
    GehäusegrößeTDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.6,3 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.69 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge3.4mm
    Breite3.4mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs27 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V

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