Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
133-9798
Herst. Teile-Nr.:
BSC0901NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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