Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 241-9871
Herst. Teile-Nr.:: BSC019N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

3.750,00 €

(ohne MwSt.)

4.450,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 23. September 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	0,75 €	3.750,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 241-9871
Herst. Teile-Nr.:: BSC019N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	BSC0
	Gehäusegröße	TDSON-8 FL
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie BSC0
	Gehäusegröße TDSON-8 FL
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC019N06NSATMA1

Infineon BSC0 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC019N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen ein geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine schnelle Gate-Reaktion erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem kompakten TDSON-8 FL-Gehäuse für die Integration auf Board-Ebene geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Extrem niedrige Rds(on) von 0,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximum Continuous Id 381 A unterstützt die Hochstromversorgung in Systemen
• Vds 40 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungsschienen und Wandlern
• Pd 81 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme ohne sofortigen thermischen Ausfall
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten bei dynamischen Lasten
• Vgs 20 V Gate-Nennspannung ermöglicht flexible Gate-Treiber-Spannungen für Steuerkreise

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Hochstrom-Gleichrichterstufen
• Ideal für die Stromumwandlung in Server- und Telekommunikationsanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrücken- und H-Brücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und DC/DC-Wandler verwendet werden
• Einsatz mit Hochleistungs-MOSFET-Arrays auf Compact Power Boards

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem TDSON-8 FL-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen.

Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?

Das Gerät arbeitet zwischen -55 °C und 175 °C für eine erweiterte Umweltverträglichkeit.

Welche Eigenschaften beeinflussen die Schaltgeschwindigkeit und die Anforderungen an den Gate-Antrieb?

Die typische Gate-Ladung beträgt 80 nC, was den Antriebsstrom und die Schaltübergänge bestimmt.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit aus?

Eine Durchlassspannung von 1 V beeinflusst die Verlustleistung während der Leitung und muss im thermischen Design berücksichtigt werden.