Infineon OptiMOS™ BSC018NE2LSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 153 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 25 V Ablassquellenspannung (VDS) und 153 A Ablassstrom (ID). Seine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in Gehäusen mit geringer Abmessung machen ihn zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen an Spannungsreglerlösungen in Server-, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. Er spart Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Phasenzahl in mehrphasigen Wandlern und Reduzierung von Leistungsverlusten und Erhöhung der Effizienz bei allen Lastbedingungen.

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler,
monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) @ VGS = 4,5 V,
100 % Avalanche geprüft,
N-Kanal,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21