Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 241-9966
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC025N08LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*
6.780,00 €
(ohne MwSt.)
8.070,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,356 € | 6.780,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9966
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC025N08LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSC0 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC025N08LS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt Niederspannungs- und Hochstromanwendungen und ist für Implementierungen vorgesehen, bei denen ein kompaktes TDSON-Gehäuse und breite Betriebstemperaturen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht geringere Leitungsverluste
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Der Bereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet den Betrieb bei extremen Temperaturbedingungen
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Der Bereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet den Betrieb bei extremen Temperaturbedingungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerkonstruktionen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorsteuerungsstufen verwendet, die einen Vorwärtsabfall von 1,2 V erfordern
• Kann in Server-Stromverteilungsmodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorsteuerungsstufen verwendet, die einen Vorwärtsabfall von 1,2 V erfordern
• Kann in Server-Stromverteilungsmodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen auf kompakten Leiterplatten
Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenpads ausgelegt ist.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten während des Betriebs eingehalten werden?
Das Gate darf 20 V in Bezug auf die Quelle nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit bei hohen Strömen aus?
Die typische Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was zur Überlappungsheizung bei hoher Belastung beiträgt und im thermischen Design berücksichtigt werden sollte.
Welche Zulassungen und Umweltaspekte gelten?
Er entspricht den RoHS-Anforderungen zur Beschränkung gefährlicher Stoffe in der Komponente.
Welche Kanalcharakteristiken definieren die Schaltpolarität?
Es verwendet einen N-Typ-Leitungskanal, der für Low-Side-Schaltvorgänge und gängige Hochstromtopologien geeignet ist.