Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 1.6 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9962
Herst. Teile-Nr.:: BSC007N04LS6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 1.6 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 241-9962
Herst. Teile-Nr.:: BSC007N04LS6ATMA1
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	BSC0
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie BSC0
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC007N04LS6ATMA1

Infineon BSC0 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC007N04LS6ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für Oberflächenmontage-Leistungsschalt- und Umwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die geringe Leitungsverluste und eine schnelle Gate-Ansprechzeit in einem kompakten TDSON-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 0,7 mΩ Rds liefern sehr niedrige Leitungsverluste
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schalten von Wandlern
• 1,6 W Verlustleistung ermöglichen kompakte thermische Designs
• 20 V maximaler Gate-Treiber vereinfacht die Auswahl des Gate-Treibers

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen, die eine niedrige Durchlassspannung erfordern
• Einsatz in Leistungsschaltkreisen in industriellen Geräten
• Kann für Batteriemanagement und Hochstrompfade verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Welche Gate-Drive-Marge sollte für einen sicheren Betrieb beachtet werden?

Halten Sie die Gate-Spannung unter maximal 20 V, um eine Überlastung des Gate zu vermeiden.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?

Der kontinuierliche Ablassstrom hängt von der Umgebungstemperatur und der Wärmeableitung ab. Die Nennleistung von 381 A setzt eine ausreichende Wärmeableitung bei der Endmontage voraus.

Welche Befestigungsart wird empfohlen, um Parasiten zu minimieren?

Verwenden Sie eine Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte mit optimiertem Kupfer für thermische und Leitpfade, um die Induktivität zu reduzieren.

Wie groß ist der zulässige Betriebstemperaturbereich für raue Umgebungen?

Das Gerät arbeitet von -55 °C bis 175 °C, um breiten Betriebsbedingungen gerecht zu werden.