Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste, schnelle Schaltsteuerung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.

• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A ermöglicht das Schalten unter schweren Lasten
• Sehr niedrige Rds(on) von 0.7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Durchlassspannung Vf von 1,1 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Die typische Gate-Ladung Qg 80 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Antriebsenergie und Schaltgeschwindigkeit
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Gate-Antriebsmargen

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung der Stromversorgung
• Einsatz mit Batteriemanagement in Systemen mit hoher Entladung
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Server-Stromversorgungsschienen verwendet werden
• Geeignet für Audioausgangsstufen der Klasse D mit hoher Leistung

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Das Gerät ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ausgelegt.

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.

Das Gerät entspricht nicht den Standards der Automobilindustrie.