Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9878
Herst. Teile-Nr.:: BSC070N10LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC070N10LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC070N10LS5ATMA1

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC070N10LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste, schnelle Schaltsteuerung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 381 A ermöglicht das Schalten unter schweren Lasten
• Sehr niedrige Rds(on) von 0.7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Durchlassspannung Vf von 1,1 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Die typische Gate-Ladung Qg 80 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Antriebsenergie und Schaltgeschwindigkeit
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Gate-Antriebsmargen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung der Stromversorgung
• Einsatz mit Batteriemanagement in Systemen mit hoher Entladung
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Server-Stromversorgungsschienen verwendet werden
• Geeignet für Audioausgangsstufen der Klasse D mit hoher Leistung

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welcher Spannung kann das Gerät zwischen Drain und Quelle standhalten?

Das Gerät ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ausgelegt.

Wie hoch ist die zu erwartende Umgebungstemperaturkapazität?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.

Ist dies für die Einhaltung von Automobilstandards vorgesehen?

Das Gerät entspricht nicht den Standards der Automobilindustrie.