Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für den Hochstrom- und Hochtemperaturbetrieb in oberflächenmontierten Baugruppen ausgelegt ist. Er bietet N-Kanal-Schaltfunktionen für anspruchsvolle Stromkreise und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Dauerstrom und erhöhte Betriebstemperaturen erfordern.

• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom sorgt für dauerhafte hohe Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht das Schalten von Mittelspannungs-Stromversorgungen
• Rds(on) von 0,7 mΩ minimiert Leitungsverluste bei starkem Strom
• 81 W Verlustleistung unterstützt einen hohen Leistungsdurchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC reduziert die Schaltbelastung der Treiber
• Die Nennleistung von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungssystemen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Industrieanlagen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Versorgungsdesigns verwendet werden
• Wird zum Schalten von Lasten in Umgebungen mit rauen Temperaturen verwendet

Er wird in einem SuperSO8 5x6-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.

Das Gerät verträgt unter bestimmten Bedingungen eine Spannung von bis zu 40 V zwischen Drain und Quelle.

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gates zu vermeiden.

Das Gerät kann von -55 °C bis 175 °C betrieben werden und ermöglicht so den Einsatz in Anwendungen mit erhöhten Temperaturen, bei denen die Grenzwerte für die Siliziumverbindung kritisch sind.