Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 241-9873
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
3,60 €
(ohne MwSt.)
4,28 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 3.624 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,80 € | 3,60 € |
| 20 - 48 | 1,51 € | 3,02 € |
| 50 - 98 | 1,42 € | 2,84 € |
| 100 - 198 | 1,315 € | 2,63 € |
| 200 + | 1,225 € | 2,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9873
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Gehäusegröße | TDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Gehäusegröße TDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSC0 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC019N06NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen ein geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine schnelle Gate-Reaktion erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem kompakten TDSON-8 FL-Gehäuse für die Integration auf Board-Ebene geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Extrem niedrige Rds(on) von 0,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximum Continuous Id 381 A unterstützt die Hochstromversorgung in Systemen
• Vds 40 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungsschienen und Wandlern
• Pd 81 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme ohne sofortigen thermischen Ausfall
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten bei dynamischen Lasten
• Vgs 20 V Gate-Nennspannung ermöglicht flexible Gate-Treiber-Spannungen für Steuerkreise
• Maximum Continuous Id 381 A unterstützt die Hochstromversorgung in Systemen
• Vds 40 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungsschienen und Wandlern
• Pd 81 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme ohne sofortigen thermischen Ausfall
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten bei dynamischen Lasten
• Vgs 20 V Gate-Nennspannung ermöglicht flexible Gate-Treiber-Spannungen für Steuerkreise
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Hochstrom-Gleichrichterstufen
• Ideal für die Stromumwandlung in Server- und Telekommunikationsanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrücken- und H-Brücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und DC/DC-Wandler verwendet werden
• Einsatz mit Hochleistungs-MOSFET-Arrays auf Compact Power Boards
• Ideal für die Stromumwandlung in Server- und Telekommunikationsanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrücken- und H-Brücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und DC/DC-Wandler verwendet werden
• Einsatz mit Hochleistungs-MOSFET-Arrays auf Compact Power Boards
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TDSON-8 FL-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen.
Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?
Das Gerät arbeitet zwischen -55 °C und 175 °C für eine erweiterte Umweltverträglichkeit.
Welche Eigenschaften beeinflussen die Schaltgeschwindigkeit und die Anforderungen an den Gate-Antrieb?
Die typische Gate-Ladung beträgt 80 nC, was den Antriebsstrom und die Schaltübergänge bestimmt.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit aus?
Eine Durchlassspannung von 1 V beeinflusst die Verlustleistung während der Leitung und muss im thermischen Design berücksichtigt werden.
Verwandte Links
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC