Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

11,88 €

(ohne MwSt.)

14,135 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,376 €11,88 €
50 - 1202,092 €10,46 €
125 - 2451,948 €9,74 €
250 - 4951,832 €9,16 €
500 +1,69 €8,45 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3641
Herst. Teile-Nr.:
BSC004NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

479A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET bietet Referenzlösungen durch die Aktivierung höchster Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb. Er bietet einen Durchlasswiderstand der Drain-Quelle von 0,45 m Ohm.

Höchster Wirkungsgrad

Höchste Leistungsdichte im SuperSO8-Gehäuse

Reduzierung der Gesamtsystemkosten

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links

Recently viewed