Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 236-3641
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC004NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 479A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.45mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 479A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.45mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET bietet Referenzlösungen durch die Aktivierung höchster Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb. Er bietet einen Durchlasswiderstand der Drain-Quelle von 0,45 m Ohm.
Höchster Wirkungsgrad
Höchste Leistungsdichte im SuperSO8-Gehäuse
Reduzierung der Gesamtsystemkosten
RoHS-konform
Halogenfrei
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