Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,12 €

(ohne MwSt.)

14,425 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,424 €12,12 €
50 - 1202,134 €10,67 €
125 - 2451,988 €9,94 €
250 - 4951,868 €9,34 €
500 +1,722 €8,61 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3641
Herst. Teile-Nr.:
BSC004NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

479A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS™

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET bietet Referenzlösungen durch die Aktivierung höchster Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb. Er bietet einen Durchlasswiderstand der Drain-Quelle von 0,45 m Ohm.

Höchster Wirkungsgrad

Höchste Leistungsdichte im SuperSO8-Gehäuse

Reduzierung der Gesamtsystemkosten

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links