Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 257 A 188 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-0680
Herst. Teile-Nr.:
BSC014N06NSTATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

257A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.45mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 in SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigeren Nennwerten bietet die 175 °C TJ_MAX-Funktion entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebsverbindungstemperatur oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebsverbindungstemperatur. Darüber hinaus wird eine Verbesserung des sicheren Betriebsbereichs um 20 % erreicht. Dieses neue Gehäuse passt perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server.

Niedriger RDS(on)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Längere Lebensdauer

Höchster Wirkungsgrad und höchste Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

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