Infineon OptiMOS™, SMD MOSFET TDSON-8

Der Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 in SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigeren Nennwerten bietet die 175 °C TJ_MAX-Funktion entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebsverbindungstemperatur oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebsverbindungstemperatur. Darüber hinaus wird eine Verbesserung des sicheren Betriebsbereichs um 20 % erreicht. Dieses neue Gehäuse passt perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server.

Niedriger RDS(on)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Längere Lebensdauer
Höchster Wirkungsgrad und höchste Leistungsdichte
Höchste Systemzuverlässigkeit
Thermische Robustheit