Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 354 A 375 W, 16-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
233-4376
Herst. Teile-Nr.:
IPTC015N10NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

354A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPTC

Gehäusegröße

HDSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

166nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.3 mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPTC015N10NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 100 V sowie eine hohe Nennstromaufnahme von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

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