Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 233-4373
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 233-4373
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 396A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPTC | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 175nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 396A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPTC | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 175nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPTC012N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.
Negative Abstandhalter
Einsparung im Kühlsystem
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie
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