Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
233-4372
Herst. Teile-Nr.:
IPTC012N08NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

396A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPTC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

175nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPTC012N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

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