Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 80 V / 408 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 259-2729
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC011N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
7,63 €
(ohne MwSt.)
9,08 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 15 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 1.735 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,63 € |
| 10 - 24 | 6,86 € |
| 25 - 49 | 6,48 € |
| 50 - 99 | 6,02 € |
| 100 + | 5,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-2729
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC011N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 408A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPT | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 408A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPT | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter. Mit einem breiten Gehäuseportfolio bietet diese Leistungs-MOSFET-Familie den branchenweit niedrigsten RDS(on). Einer der größten Beiträge zu dieser branchenführenden Leistung (FOM) ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Wert von nur 2,7 mΩ im SuperSO8-Gehäuse, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
N-Kanal, normaler Pegel
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
Überlegener Wärmewiderstand
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 80 V / 408 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPTC Typ N-Kanal 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 247 A HSOF