Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP

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RS Best.-Nr.:
260-1199
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R022S7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Maximale Verlustleistung Pd

416W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

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Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und einfacheres Design

Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer

Stoß- und Vibrationsbeständigkeit

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