Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 260-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
13,17 €
(ohne MwSt.)
15,67 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,17 € |
| 5 - 9 | 12,12 € |
| 10 - 24 | 11,34 € |
| 25 - 49 | 10,54 € |
| 50 + | 9,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.
Hohe Impulsstromfähigkeit
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und einfacheres Design
Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer
Stoß- und Vibrationsbeständigkeit
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal 22-Pin IPDQ60T022S7XTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 126 A 195 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 126 A 195 W IPDQ60R065S7XTMA1 HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W IPDQ60R040S7XTMA1 HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal 22-Pin IPDQ60T022S7AXTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal 10-Pin HDSOP