Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 20 A 120 W, 10-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 258-3875
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 120W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 120W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Double DPAK, das erste oben gekühlte SMD-Gerätepaket für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solarenergie, Server und Telekommunikation. Die Vorteile der bereits vorhandenen Hochspannungstechnologie 600 V CoolMOS G7 Super Junction MOSFETs sind kombiniert mit dem innovativen Konzept der Oberseite-Kühlung und bieten eine Systemlösung für Hochstrom-Hard Switching-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.
Innovatives Top-Side-Kühlkonzept
Integrierte 4-polige Kelvin-Quellenkonfiguration und niedrige Induktivität von parasitären Quellen
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards
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