Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 113.3 A 500 W, 22-Pin IPDQ60T017S7XTMA1 PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
348-997
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60T017S7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

113.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPD

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

196nC

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC, JS-001

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolMOS S7T bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7T ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.

Erhöhte Systemleistung

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und unkomplizierteres Design

Niedrigere BOM oder TCO über eine längere Lebensdauer

Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems

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