Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 288 A 1249 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 348-993
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 288A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1249W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 288A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1249W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 288 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPDQ60R007CM8XTMA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen in oberflächenmontierter Elektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen in anspruchsvollen elektrischen Systemen ein schnelles Schalten und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 600 V ermöglicht die Kompatibilität mit Hochspannungssystemen
• Niedriger Einschaltwiderstand von 7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 288 A Dauerstrom unterstützt Hochstromlasten
• Die Verlustleistung von 1249 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• Die typische Gate-Ladung von 37 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 30-V-Gate-Toleranz schützt vor Gate-Overdrive-Exkursionen
• Niedriger Einschaltwiderstand von 7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 288 A Dauerstrom unterstützt Hochstromlasten
• Die Verlustleistung von 1249 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• Die typische Gate-Ladung von 37 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 30-V-Gate-Toleranz schützt vor Gate-Overdrive-Exkursionen
Anwendungsbereiche
• Wird für Stromversorgungen in Industrieanlagen verwendet
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Traktionssystemen
• Ideal für Hochstromwandler in erneuerbaren Anlagen
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsracks verwendet werden
• Einsatz mit Hochtemperatur-Elektronik in Automobil-Subsystemen
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Traktionssystemen
• Ideal für Hochstromwandler in erneuerbaren Anlagen
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsracks verwendet werden
• Einsatz mit Hochtemperatur-Elektronik in Automobil-Subsystemen
Welche Gehäusetypen sollten Entwickler für das Leiterplatten-Layout erwarten?
Er wird in einem 22-poligen PG-HDSOP-22-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für kompakte Leiterplatten-Layouts und Thermopad-Anordnungen geeignet ist.
Wie verhält sich das Gerät unter erhöhten Umgebungsbedingungen?
Die Komponente ist für den Betrieb bei bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen mit entsprechendem Wärmemanagement.
Welche Gate-Antriebsaspekte sind für die Schaltung erforderlich?
Das Gate muss innerhalb von ±30 V angetrieben werden, und die typische Gate-Ladung von 37 nC sollte bei der Dimensionierung des Treibers berücksichtigt werden, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen.
Ist das Gerät für Anwendungen mit niedrigen Temperaturen geeignet?
Das Teil ist bis zu -55 °C ausgelegt, was den Einsatz in Kaltklimasystemen mit gesicherter elektrischer Leistung ermöglicht.
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