Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin IPDQ60T010S7AXTMA1 PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
351-944
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60T010S7AXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

174A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPDQ60

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.1mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Höhe

2.35mm

Breite

15.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolMOS S7TA mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht gleichzeitig eine einfache Implementierung und funktionale Sicherheit. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais, Batterietrennschalter und eFuses geeignet.

Minimierte Leitungsverluste

Erhöhte Systemleistung

Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR

Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum

Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte

Reduktion der externen Sensor- Elemente

Beste Ausnutzung des Leistungstransistors

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