Infineon IPDQ60 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-942
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Durchlassspannung Vf | 820mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Breite | 15.5mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPDQ60 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Durchlassspannung Vf 820mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Breite 15.5mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
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