Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 126 A 195 W HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 260-1204
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-1204
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 126A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 195W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.5mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 15.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 126A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 195W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.5mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 15.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.
Hohe Impulsstromfähigkeit
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und einfacheres Design
Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer
Stoß- und Vibrationsbeständigkeit
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