Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 408 A 375 W, 8-Pin HSOG
- RS Best.-Nr.:
- 233-4385
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG011N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
10,06 €
(ohne MwSt.)
11,98 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 24 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- 1.782 Einheit(en) mit Versand ab 26. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,03 € | 10,06 € |
| 10 - 18 | 4,525 € | 9,05 € |
| 20 - 48 | 4,27 € | 8,54 € |
| 50 - 98 | 3,97 € | 7,94 € |
| 100 + | 3,67 € | 7,34 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-4385
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG011N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 408A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPTG | |
| Gehäusegröße | HSOG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 8.75 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 408A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPTG | ||
Gehäusegröße HSOG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 8.75 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG011N08NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-80 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine. Dies führt zu einem 2-mal höheren Temperaturzyklus auf der Platine
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Hohe Leistungsfähigkeit
Verwandte Links
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 80 V / 408 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IAUS Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin HSOG