Infineon OptiMOS™ 5 IPTG014N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 366 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

RS Best.-Nr.:: 233-4386
Herst. Teile-Nr.:: IPTG014N10NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPTG014N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 366 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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Herst. Teile-Nr.:: IPTG014N10NM5ATMA1
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Datasheet - IPTG014N10NM5ATMA1

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Produktdetails

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG014N10NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-100 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Hohe Leistungsfähigkeit

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	366 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	PG HSOG-8 (TOLG)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0014 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 5 IPTG014N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 366 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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