Infineon OptiMOS™ 3 IPTG111N20NM3FDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 108 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG111N20NM3FD kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 3-200 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Hohe Leistungsfähigkeit