Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 288 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 233-4397P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 288A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.1mm | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 288A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.1mm | ||
Höhe 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 60-V-Leistungs-MOSFET ISZ034N06LM5 von Infineon bietet eine perfekte Passform für optimierte Effizienz und Leistungsdichte wie synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), für Telekommunikations-Bricks und Serveranwendungen sowie tragbare Ladegeräte. Die geringe Abmessung von nur 3,3 x 3,3 mm in Kombination mit einer hervorragenden elektrischen Leistung trägt zusätzlich zur erstklassigen Leistungsdichte und Formfaktorverbesserung in der Endanwendung bei.
Sehr niedrige Spannungsübersteuerung
Extrem niedrige Ladezyklen
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