Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 46 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 234-6988
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die N-Kanal-MOSFETs von Infineon OptiMOSTM im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOSTM 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte zusätzlich zu verbesserter Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr) verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine signifikante Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubbelstromkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt. Er hat einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 114 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 150 V. Es ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
Niedrigster RDS(on) ermöglicht höchste Leistungsdichte und Effizienz
Höhere Betriebstemperatur bis 175 °C für erhöhte Zuverlässigkeit
Niedriger RthJC für ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Niedrigere umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr)
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)
Sehr niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr)
Pb-freie Bleiplattierung
RoHS-Konformität
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