Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 46 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 234-6988
Herst. Teile-Nr.:: BSC074N15NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 46 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 234-6988
Herst. Teile-Nr.:: BSC074N15NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	114A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.2mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	46W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.1mm
	Höhe	1.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 46W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.1mm
	Höhe 1.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Automobilstandard Nein

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 114 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC074N15NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen geringe Leitungsverluste und hoher Dauerstrom erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die robuste Gate-Drive-Spannen und eine hohe Verlustleistung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 9,2 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb
• Die Dauerstromfähigkeit von 114 A unterstützt Systeme mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 46 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 10 nC typische Gate-Ladung minimiert Schaltenergieverluste
• Die VVGS-Toleranz von bis zu 20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Ebenen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler, die erhebliche Ströme verarbeiten
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge in Hochspannungsumgebungen

In welchen Umgebungstemperaturen kann er funktionieren?

Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C.

Welche Montageart ist für die Schaltkreismontage erforderlich?

Er ist für die Oberflächenmontage in einem SuperSO8 5x6-Gehäuse vorgesehen.

Wie viele Pins bietet das Gerät für das Leiterplatten-Layout?

Das Gehäuse verwendet acht Stifte für die elektrische und thermische Verbindung.

Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?

Die Durchlassspannung unter den angegebenen Bedingungen beträgt 1,2 V.

Welchen physischen Platzbedarf und welches Profil sollten Entwickler zulassen?

Das Gerät misst 5,35 mm Länge bei 6,1 mm Breite bei einer Höhe von 1,2 mm.