Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 58 A 28 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1473
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 25 V maximale Drain-Source-Spannung, 28 W maximale Verlustleistung – BSC050NE2LSATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Schaltgerät, das für Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Integration auf Board-Ebene geliefert. Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und ist für Leistungsmanagement-Rollen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine effiziente Wärmebehandlung wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• 5 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstromschaltvorgängen
• 58 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 28 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert den Spannungsabfall während der Leitung
• Die Bemessung von -55 °C bis +150 °C erweitert die Betriebstemperaturfähigkeit
• 58 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 28 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert den Spannungsabfall während der Leitung
• Die Bemessung von -55 °C bis +150 °C erweitert die Betriebstemperaturfähigkeit
Anwendungsbereich
• Geeignet als SMD-Leistungs-MOSFET für die Motorsteuerung
• Wird mit DC-Leistungsstufen verwendet, die einen 58-A-Hochstrom-MOSFET mit 5 mΩ Rds(on) erfordern
• Ideal für kompakte Leistungswandler mit oberflächenmontierten TDSON-MOSFETs mit einer Nennleistung von 25 V
• Kann für 28-W-MOSFET-Schaltkreise mit niedrigem Rds(on)-Leistungswert verwendet werden
• Wird mit DC-Leistungsstufen verwendet, die einen 58-A-Hochstrom-MOSFET mit 5 mΩ Rds(on) erfordern
• Ideal für kompakte Leistungswandler mit oberflächenmontierten TDSON-MOSFETs mit einer Nennleistung von 25 V
• Kann für 28-W-MOSFET-Schaltkreise mit niedrigem Rds(on)-Leistungswert verwendet werden
Welche Anzahl an Stiften und welches Gehäuse wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen der Automobilindustrie?
Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität spezifiziert, erfüllt aber die RoHS-Umweltgrenzwerte.
Welche Kanalkonfiguration und Polarität werden implementiert?
Das Gerät verwendet eine N-Kanal-Konfiguration für Low-Side- oder High-Side-Schaltanordnungen.
Was sind die thermischen Grenzen für den Betrieb?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.