Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 170 A 115 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 234-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 234-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.4mm | |
| Höhe | 3.8mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.4mm | ||
Höhe 3.8mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Leistungs-Transistor OptiMOS 5 von Infineon hat eine 40-V-Ablassquellen-Unterbrechungsspannung und einen durchgehenden Ablassstrom von 170 A. Dieses Produkt bietet eine Benchmark-Lösung für Anwendungen, die eine normale Antriebskapazität (höhere Schwellenspannung) erfordern. Die hohe Vth im Normalpegel-Portfolio bietet Immunität gegen falsches Einschalten aufgrund von lauten Umgebungen. Darüber hinaus verringern niedrigere QGD/QGS-Verhältnisse die Spitzen der Gate-Spannungsspitzen, was weiter zur Robustheit gegen unerwünschtes Einschalten beiträgt.
Batteriebetriebene Anwendung
LVV-Motorantriebe
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)
100 % Avalanche-getestet
175 °C Anschlusstemperatur
Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit
Niedrige Gate-Ladung
Reduzierte Schaltverluste
Geeignet für den Betrieb bei höheren Frequenzen
N-Kanal
Pb-freie Bleiplattierung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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