Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 234-7061
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1835-E
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN

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Datasheet - 2SK1835-E

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Produktdetails

Der Renesas Electronics Silizium-N-Kanal-MOSFET ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Durchschlagsspannung von 1500 V. Es ist auch für Schaltregler geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochgeschwindigkeitsschalten
Hohe Robustheit
Niedriger Antriebsstrom
Kein sekundärer Ausfall

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	1500 V
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,6 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Transistor-Werkstoff	Silicon
Anzahl der Elemente pro Chip	1

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Herst. Teile-Nr.:: 2SK1835-E
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