Renesas Electronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 45 W, 4-Pin SOT-669

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RS Best.-Nr.:
234-7154
Herst. Teile-Nr.:
RJK0651DPB-00#J5
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Es hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 60 V. Es ist für 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Niedriger Antriebsstrom

Montage mit hoher Dichte

Geringer Durchlasswiderstand

Pb-frei

Halogenfrei

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