Renesas Electronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 45 W, 4-Pin SOT-669

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,80 €

(ohne MwSt.)

8,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 955 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,36 €6,80 €
50 - 951,162 €5,81 €
100 - 2450,998 €4,99 €
250 - 9950,974 €4,87 €
1000 +0,864 €4,32 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
234-7155
Herst. Teile-Nr.:
RJK0651DPB-00#J5
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Renesas Electronics N-Kanal-MOSFET mit einfacher Leistung, geeignet für Schalt- und Lastschalteranwendungen. Er hat eine hohe Durchschlagsspannung von 60 V. Er kann 4,5-V-Gate-Antrieb betreiben.

Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedriger Antriebsstrom

Montage mit hoher Dichte

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Bleifrei

Halogenfrei

Verwandte Links