Renesas Electronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 45 W, 4-Pin SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 234-7156
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0656DPB-00#J5
- Marke:
- Renesas Electronics
Derzeit nicht erhältlich
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- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-669 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-669 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Es hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 60 V. Es ist für 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.
Hochgeschwindigkeits-Schalten
Niedriger Antriebsstrom
Montage mit hoher Dichte
Geringer Durchlasswiderstand
Pb-frei
Halogenfrei