ROHM QH8MB5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 235-2672
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8MB5TCR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
4,47 €
(ohne MwSt.)
5,32 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,447 € | 4,47 € |
| 50 - 90 | 0,439 € | 4,39 € |
| 100 - 240 | 0,348 € | 3,48 € |
| 250 - 990 | 0,338 € | 3,38 € |
| 1000 + | 0,263 € | 2,63 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2672
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8MB5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | QH8MB5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Höhe | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie QH8MB5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 0.85 mm | ||
Höhe 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Dual-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET unterstützt 40 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Durch die Kombination des optimalen N-Kanal + P-Kanals wird der Designaufwand reduziert. Sie trägt auch zur Senkung des Stromverbrauchs von Geräten bei.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM QH8MB5 N/P-Kanal-Kanal Dual5 A 8-Pin TSMT-8
- ROHM QS8 Typ N Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8 QS8M51HZGTR
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1E050RPHZGTR TSMT-8
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1A070ZPHZGTR TSMT-8
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1E070RPHZGTR TSMT-8
- ROHM QH8MC5 Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin QH8MC5TCR TSMT-8
- ROHM QH8KB6 Typ N-Kanal 8-Pin QH8KB6TCR TSMT-8
- ROHM QH8 Typ N-Kanal 2 8-Pin TSMT-8 QH8KE5TCR